窒化ホウ素: 半導体真空炉に不可欠

  半導体産業では、窒化ホウ素 (BN) はその優れた特性により、真空炉用途で重要な役割を果たしています。真空炉は、アニール、拡散、化学蒸着 (CVD) などのさまざまな半導体製造プロセスに不可欠です。
窒化ホウ素コンポーネントは、次のような理由からこれらの真空炉で広く使用されています。

• 高温安定性: 窒化ホウ素は優れた熱安定性を示し、不活性雰囲気または真空環境で 2,000°C までの温度に耐えることができるため、高温の半導体プロセスに適しています。

• 化学的不活性: 窒化ホウ素は化学的に不活性で、ほとんどの酸、塩基、溶媒に対して耐性があり、さまざまな半導体材料やプロセスガスとの適合性を保証します。

• 電気絶縁性: 窒化ホウ素は優れた電気絶縁特性により、半導体デバイスの短絡を防止し、電気的絶縁を維持します。

• 熱伝導性: 窒化ホウ素は優れた熱伝導性を備えており、真空炉内の効率的な熱伝達と均一な温度分布を促進します。

半導体真空炉で使用される一般的な窒化ホウ素コンポーネントには次のものがあります。

• るつぼとコンテナ: 高温プロセス中に半導体ウェハや材料を保持するために使用されます。

• ライナーと断熱材: 炉の壁を保護し、望ましい温度プロファイルを維持します。

• 治具とホルダー: 処理中に半導体ウェーハまたはコンポーネントを位置決めしてサポートします。

• シールドとバッフル: ガスの流れを制御し、相互汚染を防ぎます。

  窒化ホウ素の優れた熱的、化学的、電気的特性により、窒化ホウ素は半導体真空炉用途に不可欠なものとなり、高度な半導体デバイスの効率的かつ信頼性の高い生産に貢献します。