Bornitrid: Unverzichtbar für Halbleiter-Vakuumöfen

  In der Halbleiterindustrie spielt Bornitrid (BN) aufgrund seiner außergewöhnlichen Eigenschaften eine entscheidende Rolle in Vakuumofenanwendungen. Vakuumöfen sind für verschiedene Halbleiterherstellungsprozesse unerlässlich, darunter Glühen, Diffusion und chemische Gasphasenabscheidung (CVD).
Bornitrid-Komponenten werden in diesen Vakuumöfen aus mehreren Gründen häufig verwendet:

• Hochtemperaturstabilität: Bornitrid weist eine ausgezeichnete thermische Stabilität auf und kann Temperaturen von bis zu 2,000 °C in einer inerten Atmosphäre oder Vakuumumgebung standhalten, wodurch es für Hochtemperatur-Halbleiterprozesse geeignet ist.

• Chemische Inertheit: Bornitrid ist chemisch inert und beständig gegenüber den meisten Säuren, Basen und Lösungsmitteln und gewährleistet so die Kompatibilität mit verschiedenen Halbleitermaterialien und Prozessgasen.

• Elektrische Isolierung: Mit hervorragenden elektrischen Isoliereigenschaften verhindert Bornitrid Kurzschlüsse und sorgt für die elektrische Isolierung in Halbleiterbauelementen.

• Wärmeleitfähigkeit: Bornitrid verfügt über eine gute Wärmeleitfähigkeit, was eine effiziente Wärmeübertragung und eine gleichmäßige Temperaturverteilung im Vakuumofen ermöglicht.

Zu den gängigen Bornitrid-Komponenten, die in Halbleiter-Vakuumöfen verwendet werden, gehören:

• Tiegel und Behälter: Werden zur Aufbewahrung von Halbleiterwafern oder -materialien bei Hochtemperaturprozessen verwendet.

• Auskleidungen und Isoliermaterialien: Schützen Sie die Ofenwände und halten Sie die gewünschten Temperaturprofile aufrecht.

• Vorrichtungen und Halter: Positionieren und unterstützen Halbleiterwafer oder -komponenten während der Verarbeitung.

• Abschirmungen und Leitbleche: Kontrollieren den Gasfluss und verhindern Kreuzkontaminationen.

  Die außergewöhnlichen thermischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften von Bornitrid machen es in Halbleiter-Vakuumofenanwendungen unverzichtbar und tragen zur effizienten und zuverlässigen Produktion fortschrittlicher Halbleiterbauelemente bei.