Nitrur de bor: essencial per als forns de buit semiconductors

  A la indústria dels semiconductors, el nitrur de bor (BN) té un paper crucial en les aplicacions del forn de buit a causa de les seves propietats excepcionals. Els forns de buit són essencials per a diversos processos de fabricació de semiconductors, inclòs el recuit, la difusió i la deposició química de vapor (CVD).
Els components de nitrur de bor s'utilitzen àmpliament en aquests forns de buit per diverses raons:

• Estabilitat a alta temperatura: el nitrur de bor presenta una excel·lent estabilitat tèrmica i pot suportar temperatures de fins a 2,000 °C en atmosfera inert o ambient de buit, el que el fa adequat per a processos de semiconductors d'alta temperatura.

• Inercia química: el nitrur de bor és químicament inert i resistent a la majoria d'àcids, bases i dissolvents, assegurant la compatibilitat amb diversos materials semiconductors i gasos de procés.

• Aïllament elèctric: amb excel·lents propietats d'aïllament elèctric, el nitrur de bor evita curtcircuits i manté l'aïllament elèctric en dispositius semiconductors.

• Conductivitat tèrmica: el nitrur de bor posseeix una bona conductivitat tèrmica, facilitant una transferència de calor eficient i una distribució uniforme de la temperatura dins del forn de buit.

Els components comuns de nitrur de bor utilitzats en forns de buit semiconductors inclouen:

• Gresols i contenidors: S'utilitzen per subjectar hòsties o materials semiconductors durant processos d'alta temperatura.

• Revestiments i materials d'aïllament: protegir les parets del forn i mantenir els perfils de temperatura desitjats.

• Fixtures i suports: Col·loqueu i recolzeu les hòsties o components de semiconductors durant el processament.

• Escuts i deflectors: Controla el flux de gas i evita la contaminació creuada.

  Les excepcionals propietats tèrmiques, químiques i elèctriques del nitrur de bor el fan indispensable en aplicacions de forns de buit semiconductors, contribuint a la producció eficient i fiable de dispositius avançats de semiconductors.