Los crisoles de pBN no sólo se utilizan ampliamente en el crecimiento y la preparación de materiales semiconductores monocristalinos como el arseniuro de galio (GaAs) y el fosfuro de indio (InP), sino que también sirven como contenedores primarios para las fuentes de evaporación en las líneas de producción de OLED.
Ofrecemos crisoles de nitruro de boro pirolítico (PBN). Estos crisoles de PBN de gran pureza (99,9%) están disponibles en versiones de pared recta y con bridas.
Propiedades del material cerámico PBN
Propiedad | Unidad | Valor |
Pureza | % | 99.99 |
Impurezas metálicas | ppm | <10 |
Granulometría | nm | a: 2.504 × 10-¹⁰ |
c: 6.692 × 10-¹⁰ | ||
Densidad cristalina | g/cm³ | 2.07 - 2.19 |
Permeabilidad al helio | Pa.m3/s | 1×10-10 |
Microdureza | N/mm² | 691.88 |
Resistividad volumétrica | Ω-m | 3.11×1011 |
Resistencia a la tracción | N/mm2 | 145.6 |
Resistencia a la flexión | N/mm2 | 151.5 |
Módulo elástico | GP | 40 |
Conductividad térmica | W/m-K | dirección a: 60 |
dirección c: 2,6 | ||
Rigidez dieléctrica(@ 25℃) | KV/mm | |
Constante dieléctrica | "c" 3.07 | |
Calor específico | J/g-℃ | 0,90(RT) |
Características principales de los crisoles y revestimientos de PBN
1. Conductividad térmica y resistencia al choque térmico superiores
2. Fácil de limpiar y adecuado para un uso repetido
3. Elevada inercia química; no reacciona con ácidos ni bases a altas temperaturas.
4. No moja los metales fundidos
5. Conductividad térmica controlable
6. Cómodo de limpiar y reutilizable
Para garantizar un funcionamiento seguro y prolongar la vida útil del equipo, recomendamos limitar el uso del PBN a temperaturas no superiores a 1300°C, con una velocidad de enfriamiento controlada inferior a 25°C por minuto por debajo de 660°C. El crisol debe inspeccionarse entre cada uso, y sustituirse inmediatamente si se detecta cualquier signo de agrietamiento.