PBN-Tiegel werden nicht nur weitreichend beim Wachstum und der Herstellung von Einkristall-Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) eingesetzt, sondern dienen auch als primäre Behälter für Verdampfungsquellen in OLED-Produktionslinien.
Wir bieten pyrolytische Bornitrid (PBN)-Tiegel an. Diese hochreinen (99,9%) PBN-Tiegel sind sowohl in geraden als auch in geflanschen Ausführungen erhältlich.
Eigenschaften von PBN-Keramikmaterial
Eigenschaft | Einheit | Wert |
Reinheit | % | 99.99 |
Metallische Verunreinigungen | ppm | <10 |
Korngröße | nm | a: 2.504 × 10⁻¹⁰ |
c: 6.692 × 10⁻¹⁰ | ||
Kristalldichte | g/cm³ | 2.07 - 2.19 |
Heliumpermeabilität | Pa.m3/s | 1×10-10 |
Mikrohärte | N/mm² | 691.88 |
Volumenwiderstand | Ω·m | 3.11×1011 |
Zugfestigkeit | N/mm2 | 145.6 |
Biegefestigkeit | N/mm2 | 151.5 |
Elastischer Modul | GP | 40 |
Wärmeleitfähigkeit | W/m-K | a-Richtung: 60 |
c-Richtung: 2,6 | ||
Durchschlagsfestigkeit (@ 25°C) | KV/mm | |
Dielektrizitätskonstante | "c" 3.07 | |
Spezifische Wärme | J/g·℃ | 0.90(RT) |
Hauptmerkmale der PBN-Tiegel und -Auskleidungen
1. Überlegene Wärmeleitfähigkeit und Thermoschockbeständigkeit
2. Leicht zu reinigen und für wiederholte Verwendung geeignet
3. Hohe chemische Inertheit; reagiert bei hohen Temperaturen nicht mit Säuren oder Basen
4. Nicht benetzend gegenüber geschmolzenen Metallen
5. Kontrollierbare Wärmeleitfähigkeit
6. Bequem zu reinigen und wiederverwendbar
Zur Gewährleistung eines sicheren Betriebs und zur Verlängerung der Gerätelebensdauer empfehlen wir, die Verwendung von PBN auf Temperaturen von nicht mehr als 1300°C zu begrenzen, mit einer kontrollierten Abkühlungsrate von weniger als 25°C pro Minute unterhalb von 660°C. Der Tiegel sollte zwischen jeder Verwendung inspiziert und bei Anzeichen von Rissbildung sofort ersetzt werden.