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Bornitrid Tiegel BN & PBN

PBN-Schmelztiegel

PBN-Tiegel werden nicht nur weitreichend beim Wachstum und der Herstellung von Einkristall-Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) eingesetzt, sondern dienen auch als primäre Behälter für Verdampfungsquellen in OLED-Produktionslinien.

We offer pyrolytic boron nitride (PBN) crucibles. These high-purity (99.99%) PBN crucibles are available in both straight-wall and flanged versions.

PBN evaporation crucible


Eigenschaften von PBN-Keramikmaterial

EigenschaftEinheitWert
Reinheit%99.99
Metallische Verunreinigungenppm<10
Korngrößenma: 2.504 × 10⁻¹⁰
c: 6.692 × 10⁻¹⁰
Kristalldichteg/cm³2.07 - 2.19
HeliumpermeabilitätPa.m3/s           1×10-10
MikrohärteN/mm²691.88
VolumenwiderstandΩ·m3.11×1011
ZugfestigkeitN/mm2 145.6
BiegefestigkeitN/mm2151.5
Elastischer ModulGP40
WärmeleitfähigkeitW/m-Ka-Richtung: 60
c-Richtung: 2,6
Durchschlagsfestigkeit (@ 25°C)KV/mm 
Dielektrizitätskonstante "c" 3.07
Spezifische WärmeJ/g·℃0.90(RT)

Hauptmerkmale der PBN-Tiegel und -Auskleidungen
1. Überlegene Wärmeleitfähigkeit und Thermoschockbeständigkeit

2. Leicht zu reinigen und für wiederholte Verwendung geeignet

3. Hohe chemische Inertheit; reagiert bei hohen Temperaturen nicht mit Säuren oder Basen

4. Nicht benetzend gegenüber geschmolzenen Metallen

5. Kontrollierbare Wärmeleitfähigkeit

6. Bequem zu reinigen und wiederverwendbar


Zur Gewährleistung eines sicheren Betriebs und zur Verlängerung der Gerätelebensdauer empfehlen wir, die Verwendung von PBN auf Temperaturen von nicht mehr als 1300°C zu begrenzen, mit einer kontrollierten Abkühlungsrate von weniger als 25°C pro Minute unterhalb von 660°C. Der Tiegel sollte zwischen jeder Verwendung inspiziert und bei Anzeichen von Rissbildung sofort ersetzt werden.

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